Maria Camara

Circuitos integrados de potencia GaN

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Navitas presenta innovaciones en circuitos integrados de potencia GaN en prestigiosos eventos de electrónica de potencia como el ISPSD 2017

Navitas Semiconductor anunció que Dan Kinzer, Cofundador y director de tecnología / director de operaciones de la compañía, emitirá una conferencia plenaria titulada “Desarrollos en circuitos integrados de potencia GaN” en el XXIX Simposio Internacional sobre Dispositivos Semiconductores de Potencia e ICs (ISPSD), sesión que se llevará a cabo en el Hotel Royton Sapporo, Japón el lunes por la mañana, 29 de mayo de 2017.

Circuitos integrados de potencia GaN

Dan Kinzer de Navitas Semiconductor

Nitruro de Galio es una tecnología emergente que está permitiendo grandes avances en la electrónica de potencia. Los circuitos integrados de potencia están emergiendo en el mercado y muestran una eficiencia sin precedentes, densidad y ventajas de costo del sistema final.

Este artículo revisa los comienzos de las técnicas de circuitos integrados de potencia GaN, lo que conduce a implementaciones actuales en productos avanzados y pronostica las direcciones futuras para la nueva tecnología.

Circuitos integrados de potencia GaN en el ISPSD 2017

El simposio ISPSD es el principal foro de discusión técnica en todas las áreas de dispositivos semiconductores de potencia y circuitos integrados, sus tecnologías híbridas y aplicaciones.

“Me siento sumamente complacido y honrado de dirigirme a mis amigos y colegas de la comunidad de ISPSD por los avances en GaN Power y la promesa que traen para revolucionar una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía”, dijo el CTO / COO de Navitas Semiconductor, Dan Kinzer. “También estamos encantados por la respuesta de la industria de electrónica de potencia a las innovaciones de nuestro GaN power IC”.

Navitas estableció su posición como el principal innovador de GaN con la introducción de los primeros circuitos comerciales GaN, que establecieron nuevos parámetros de referencia para su combinación de frecuencia, integración y densidad.

“ISPSD Japan 2017 es una oportunidad clave para Navitas a la hora de presentar avances en circuitos integrados de potencia GaN y cómo están permitiendo nuevos puntos de referencia en velocidad, eficiencia y densidad de potencia a un costo asequible”, comentó el vicepresidente de ventas y marketing de Navitas, Stephen Oliver. “Desde el lanzamiento de nuestros circuitos eléctricos GaN de un solo y medio puente, la elevada demanda de los clientes está validando las enormes ventajas del portafolio de Navitas”, agregó Oliver.


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