Asis Rodriguez

Amplificador de potencia RF GaN para infraestructuras móviles

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Amplificador de potencia RF GaN para infraestructuras móviles

RS Components (RS), el mayor distribuidor de productos y servicios de electrónica y mantenimiento a nivel mundial y la marca comercial de Electrocomponents plc, anuncia que su representada, Freescale Semiconductor, ha desarrollado su primer producto de amplificación de potencia RF con tecnología de nitruro de galio (GaN) para infraestructuras móviles y aviación, radares, ISM y radio definida por software (SFD).

El dispositivo AFG25HW355S se une a la oferta de productos de potencia RF de la compañía compuesta por LDMOS de silicio de 12, 28 y 50 V, HBT GaAs de 5 V, soluciones pHEMT GaAs de 5 y 12 V, y tecnología SiGe de elevada frecuencia para lograr una operación de más de 100 GHz.

El nuevo amplificador es un modelo asimétrico 2:1 ‘High-Performance-in-Package’ (HiP) que se caracteriza por frecuencia de 2.3 a 2.7 GHz, pico de potencia de 56 dBm, eficiencia del 50 por ciento, ganancia de 16 dB y encapsulado NI-780.

El uso de tecnología GaN también dota de numerosas ventajas, como formatos más compactos, baja pérdida parasítica, elevada densidad de potencia y mayor frecuencia de operación.

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